氧化铯钨，即为铯钨青铜（CsxWO3），属于钨青铜型中的一种，是一种非化学计量比窄禁带宽度的半导体材料。其因有独特晶体结构的原因，而具有较高的可见光透过率和近红外线阻隔率等性质，在隔热玻璃材料中具有十分诱人的应用前景。但是，不同晶型的铯钨青铜的理化性能存在较大差异。

相关研究表明：

（1）采用Na2WO4•2H2O和CsCl为原料，在乙醇溶液中利用沉淀法制得的CsxWO3粉体，其晶型结构不明显，并且同时存在多种未知晶相衍射峰，而粉体的漫反射吸收图谱表明其在近红外区的吸收很弱，同氧化钨粉体的光吸收图谱相似，近红外吸收性能不明显。利用水热的方法采用相同的原料，所合成的粉体的结构和性能没有明显的改善，在11OOnm处吸亮度最大为0.8。

（2）采用Na2WO4•2H2O和Cs2CO3为原料，在柠檬酸溶液中，利用水热法制备的CsxWO3，其粉体晶体衍射峰变得较为明显，杂峰消失，而粉体的漫反射吸收光谱表明具有强烈的近红外吸收性能，其薄膜表现出良好的近红外遮蔽趋势；并且经过紫外光照射后，表现出良好的光致变色性能，近红外遮蔽性能进一步增强，特别是柠檬酸浓度较高的前驱液中制备的CsxWO3，紫外光照射促使其薄膜近红外遮蔽性能进一步提高的效果更为明显，总的来说，其具有良好的隔热性能。

此外，研究还发现CsxWO3粉体的结构和近红外吸收性能都会随着反应时间的延长和前驱液中柠檬酸浓度的提高而改善，制备的晶体结构都为六方钨青铜结构。其中在柠檬酸浓度为1.10mol/L的前驱液中，反应温度为190℃，反应时间为3d时合成的CsxWO3粉体，其平均最小粒径为185nm，为细丝针状形貌，比表面积为41.17m2/g，粉体近红外吸收最为强烈。在11OOnm时，吸亮度为1.96，其薄膜的透射光谱表明近红外遮蔽趋势最为明显，在可见光区最高透过率与近红外11OOnm处的最低透过率相差为13～18%；经过紫外光照射后，可提高到26%；粉体经过氮气中500℃热处理2h，然后涂制成薄膜，其薄膜可见光区最高透过率与近红外1100nm处的最低透过率之差可提高到33%，表现出良好的近红外遮蔽性能，其隔热温差最大可达到21℃。